आप बिल्ट इन वोल्टेज की गणना कैसे करते हैं?

2024 लेखक: Miles Stephen | [email protected]. अंतिम बार संशोधित: 2023-12-15 23:36

NS अंतर्निहित क्षमता (300 K पर) f. के बराबर होता है_मैं = केटी/क्यू एलएन(10¹⁶ एक्स 9 एक्स 10¹⁷/एन_मैं²) = 0.77 वी, kT/q = 25.84 mV और n. का उपयोग करते हुए_मैं = 10¹⁰ से। मी^-3. NS अंतर्निहित क्षमता (100°C पर) f. के बराबर होता है_मैं = केटी/क्यू एलएन(10¹⁶ एक्स 9 एक्स 10¹⁷/एन_मैं²) = 0.673 वी, kT/q = 32.14 mV और n. का उपयोग करते हुए_मैं = 8.55 x 10¹¹ से। मी^-3 (उदाहरण 20 से)।

नतीजतन, एक पीएन जंक्शन के वोल्टेज में निर्मित क्या है?

वहां एक है " बनाया -में" वोल्टेज पर पी-एन जंक्शन इंटरफेस जो पी-साइड में इलेक्ट्रॉनों के प्रवेश को रोकता है और एन-साइड में छेद करता है। जब वोल्टेज वी सकारात्मक है ("आगे" ध्रुवीयता) वी के साथ घातीय शब्द तेजी से बढ़ता है और वर्तमान उच्च होता है।

इसके अलावा, आप बाधा क्षमता को कैसे मापते हैं? एक साधारण वाल्टमीटर में परिमित इनपुट प्रतिबाधा होती है जिसका सीधा सा अर्थ है कि, to उपाय एक वोल्टेज भर में, वाल्टमीटर के माध्यम से कुछ (छोटा) करंट होना चाहिए। इस प्रकार, to उपाय अंतर्निर्मित क्षमता एक वोल्टमीटर के साथ एक डायोड की आवश्यकता होगी कि बिल्ट-इन क्षमता वाल्टमीटर के माध्यम से 'ड्राइव' (छोटा) करंट।

फिर, वोल्टेज में क्या बनाया जाता है?

4.3. 1 थी बनाया - क्षमता में। NS बनाया -एक अर्धचालक में क्षमता थर्मल संतुलन में कमी क्षेत्र में क्षमता के बराबर होती है। यह प्रत्येक क्षेत्र की थोक क्षमता के योग के बराबर भी होता है, क्योंकि थोक क्षमता फर्मी ऊर्जा और आंतरिक ऊर्जा के बीच की दूरी को निर्धारित करती है।

अवक्षय क्षेत्र से क्या तात्पर्य है ?

रिक्तीकरण क्षेत्र या रिक्तिकरण परत एक है क्षेत्र पी-एन जंक्शन डायोड में जहां कोई मोबाइल चार्ज कैरियर मौजूद नहीं है। रिक्तिकरण परत एक अवरोध की तरह कार्य करता है जो n-साइड से इलेक्ट्रॉनों के प्रवाह और p-साइड से छिद्रों का विरोध करता है।